Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch Tool/ICP-RIE System

University of Jyväskylä

An inductively-coupled-plasma reactive-ion-etcher (ICP-RIE), capable of flexible etching of different materials. Whole system with all required components. Capable of handling wafers up to 200 mm in diameter. There must be a loadlock and (semi)automatic loading of single-wafers and small chips between loadlock and process chamber. The substrate electrode temperature should be controllable between at least -150 C and 300 C.
Contracting authority (JYU) may suspend the procurement procedure if the tenders exceed the budget available for the procurement.
Prior references of supplying comparable systems are required.

Määräaika

Tarjousten vastaanottamisen määräaika oli 2020-06-18. Hankinta julkaistiin 2020-05-11.

Toimittajat

Seuraavat toimittajat mainitaan hankintapäätöksissä tai muissa hankinta-asiakirjoissa:

Kuka? Mitä? Missä?
Hankintojen historia
Päivämäärä Asiakirja
2020-05-11 hankintailmoitus
2020-09-14 Ilmoitus tehdystä sopimuksesta
hankintailmoitus (2020-05-11)
Kohde
Hankinnan laajuus
Otsikko: Laboratoriolaitteet, optiset ja tarkkuuslaitteet (lukuun ottamatta silmälaseja)
Viitenumero: 217/02.03.00.00/2020
Lyhyt kuvaus:
An inductively-coupled-plasma reactive-ion-etcher (ICP-RIE), capable of flexible etching of different materials. Whole system with all required components. Capable of handling wafers up to 200 mm in diameter. There must be a loadlock and (semi)automatic loading of single-wafers and small chips between loadlock and process chamber. The substrate electrode temperature should be controllable between at least -150 C and 300 C. Contracting authority (JYU) may suspend the procurement procedure if the tenders exceed the budget available for the procurement. Prior references of supplying comparable systems are required.
Näytä lisää
Ilmoituksen metatiedot
Alkukieli: englanti 🗣️
Asiakirjatyyppi: hankintailmoitus
Sopimuksen luonne: Tavarat
Asetus: Euroopan unioni ja WTO-maat
Yhteinen hankintanimikkeistö (CPV)
Koodi: Laboratoriolaitteet, optiset ja tarkkuuslaitteet (lukuun ottamatta silmälaseja) 📦
Suorituspaikka
NUTS-alue: Keski-Suomi 🏙️

Menettely
Menettelyn tyyppi: Avoin menettely
Tarjouksen tyyppi: Tarjous koskee kaikkia eriä
Myöntämisperusteet
Kokonaistaloudellisesti edullisin tarjous

Hankintaviranomainen
Tunnistetiedot
Maa: Suomi 🇫🇮
Hankintaviranomaisen tyyppi: Muu
Hankintaviranomaisen nimi: University of Jyväskylä
Postiosoite: Seminaarinkatu 15
Postinumero: 40014
Postitoimipaikka: Jyväskylä
Yhteystiedot
Internetosoite: http://www.jyu.fi 🌏
Sähköposti: kirjaamo@jyu.fi 📧
Puhelin: +358 142601211 📞
Asiakirjojen URL-osoite: https://hanki.tarjouspalvelu.fi/hanki?id=297754&tpk=3a7c1f1a-2dc0-4179-997d-17c254478b37 🌏
Osallistumisen URL-osoite: https://hanki.tarjouspalvelu.fi/hanki?id=297754&tpk=3a7c1f1a-2dc0-4179-997d-17c254478b37 🌏

Viite
Päivämäärät
Lähetyspäivä: 2020-05-11 📅
Tarjousten jättämisen määräaika: 2020-06-18 📅
Julkaisupäivä: 2020-05-12 📅
Aloituspäivä: 2020-08-01 📅
Tunnisteet
Ilmoituksen numero: 2020/S 092-219231
EUVL-S-numero: 92
Lisätietoja
This notice has links and/or attachments listed in https://www.hankintailmoitukset.fi/en/public/procurement/35862/notice/46176

Kohde
Hankinnan laajuus
Lyhyt kuvaus:
An inductively-coupled-plasma reactive-ion-etcher (ICP-RIE), capable of flexible etching of different materials. Whole system with all required components. Capable of handling wafers up to 200 mm in diameter. There must be a loadlock and (semi)automatic loading of single-wafers and small chips between loadlock and process chamber. The substrate electrode temperature should be controllable between at least -150 C and 300 C.
Näytä lisää
Contracting authority (JYU) may suspend the procurement procedure if the tenders exceed the budget available for the procurement.
Prior references of supplying comparable systems are required.
The main focus of the machine is in etching thin layers (less than 300 nm) of silicon on top of silicon dioxide with high selectivity to silicon dioxide, high anisotropy, smooth sidewalls and no notching. In addition, the machine needs to be able to run the Bosch process when needed. Anisotropic etching of silicon nitride will also be required. Specifically, process specifications must be given for the following processes:
Näytä lisää
(i) anisotropic etching of silicon photonic crystal structures on SOI: device layer 200-300 nm, PMMA mask, feature sizes down to 20 nm, sidewall verticality and smoothness critical.
(ii) anisotropic etching of 50 nm silicon layers with high (>20:1) selectivity to silicon dioxide. Sidewall verticality and notching control critical.
(iii) anisotropic silicon nitride etching.
(iv) Machine needs also to be capable of deep, anisotropic, through the wafer etching of silicon.
We expect that to achieve these we need to be able to do at least following processes:
— cryogenic etching of silicon with SF6 and O2,
— bosch etching of silicon for deep structures (SF6, C4F8), and
— ‘pseudo-bosch’ etching of silicon with the same process gases as Bosch but without the timed pulsing of gases.
In addition, the tenderer should quote any gas lines they deem necessary for the above mentioned processes, incl. silicon nitride etching. Gas lines for HBr etching of silicon and chlorine based etching of aluminium nitride (AlN) should also be quoted.
Näytä lisää
Vaihtoehtojen kuvaus:
Service and support
Possibility for future upgrades and expansions:
Option for laser interferometric end point detection.
Suorituspaikka
Pääkohde tai suorituspaikka: University of Jyväskylä, Nanoscience Center/Department of Physics.

Oikeudelliset, taloudelliset, rahoitukselliset ja tekniset tiedot
Osallistumisehdot
Kelpoisuus harjoittaa ammattitoimintaa: According to tender documents.
Sopimuksen toteuttaminen
Sopimuksen täytäntöönpanoehdot:
Contracting authority (JYU) may suspend the procurement procedure if the tenders exceed the budget available for the procurement.

Menettely
Oikeusperusta: 32014L0024
Tarjousten vastaanottoaika: 16:00
Kielet, joilla tarjoukset tai osallistumishakemukset voidaan jättää: englanti 🗣️
Tarjouksen voimassaoloaika: 6 kuukautta
Tarjousten avauspäivä: 2020-06-19 📅
Tarjousten avausaika: 10:00

Hankintaviranomainen
Tunnistetiedot
Kansallinen rekisterinumero: 0245894-7
Muu hankintaviranomaisen tyyppi: University
Yhteystiedot
Asiakirjojen URL-osoite: https://hanki.tarjouspalvelu.fi/hanki?id=297754&tpk=3a7c1f1a-2dc0-4179-997d-17c254478b37 🌏

Täydentävät tiedot
Arvostelurunko
Nimi: Markkinaoikeus
Postiosoite: Radanrakentajantie 5
Postitoimipaikka: Helsinki
Postinumero: 00520
Maa: Suomi 🇫🇮
Puhelin: +358 295643300 📞
Sähköposti: markkinaoikeus@oikeus.fi 📧
Internetosoite: http://www.oikeus.fi/markkinaoikeus 🌏
Lähde: OJS 2020/S 092-219231 (2020-05-11)
Ilmoitus tehdystä sopimuksesta (2020-09-14)
Kohde
Hankinnan laajuus
Lyhyt kuvaus:
An inductively-coupled-plasma reactive-ion-etcher (ICP-RIE), capable of flexible etching of different materials. Whole system with all required components. Capable of handling wafers up to 200 mm in diameter. There must be a loadlock and (semi)automatic loading of single-wafers and small chips between loadlock and process chamber. The substrate electrode temperature should be controllable between at least -150 °C and 300 °C. Contracting authority (JYU) may suspend the procurement procedure if the tenders exceed the budget available for the procurement. Prior references of supplying comparable systems are required.
Näytä lisää
Hankinnan kokonaisarvo: 380 000 EUR 💰
Ilmoituksen metatiedot
Asiakirjatyyppi: Ilmoitus tehdystä sopimuksesta

Menettely
Tarjouksen tyyppi: Ei sovelleta

Hankintaviranomainen
Tunnistetiedot
Postiosoite: Seminaarinkatu 15, Jyväskylän yliopisto

Viite
Päivämäärät
Lähetyspäivä: 2020-09-14 📅
Julkaisupäivä: 2020-09-18 📅
Tunnisteet
Ilmoituksen numero: 2020/S 182-437907
Viittaa ilmoitukseen: 2020/S 092-219231
EUVL-S-numero: 182

Kohde
Hankinnan laajuus
Lyhyt kuvaus:
An inductively-coupled-plasma reactive-ion-etcher (ICP-RIE), capable of flexible etching of different materials. Whole system with all required components. Capable of handling wafers up to 200 mm in diameter. There must be a loadlock and (semi)automatic loading of single-wafers and small chips between loadlock and process chamber. The substrate electrode temperature should be controllable between at least -150 °C and 300 °C.
Näytä lisää
(i) anisotropic etching of silicon photonic crystal structures on SOI: device layer 200-300 nm, PMMA mask, feature sizes down to 20 nm, sidewall verticality and smoothness critical;
(ii) anisotropic etching of 50 nm silicon layers with high (>20:1) selectivity to silicon dioxide. Sidewall verticality and notching control critical;
(iii) anisotropic silicon nitride etching;
(iv) machine needs also to be capable of deep, anisotropic, through the wafer etching of silicon.

Menettely
Myöntämisperusteet
Laatukriteeri (nimi): Quality
Laatukriteeri (painotus): 10
Hinta (painotus): 90

Sopimuksen tekeminen
Sopimuksen tekemispäivä: 2020-09-11 📅
Nimi: Oxford Instruments Nanotechnology Tools Ltd, trading as Oxford Instruments Plasma Technology
Kansallinen rekisterinumero: GB596117025
Postiosoite: North End, Yatton
Postitoimipaikka: Bristol
Postinumero: BS49 4AP
Maa: Iso-Britannia 🇬🇧
Puhelin: +44 1934837070 📞
Hankinnan kokonaisarvo: 380 000 EUR 💰
Tietoa tarjouskilpailuista
Saatujen tarjousten määrä: 1
Lähde: OJS 2020/S 182-437907 (2020-09-14)
Uudet hankinnat asiaan liittyvissä luokissa 🆕
Aiheeseen liittyvät haut 🔍
Alue:
Suomi/Finland Manner-Suomi Länsi-Suomi Keski-Suomi